MOSFET高頻特性好，可以工作頻率可以達(dá)到幾百kHz、上MHz，缺點(diǎn)是導(dǎo)通電阻大在高...MOSFET高頻特性好，可以工作頻率可以達(dá)到幾百kHz、上MHz，缺點(diǎn)是導(dǎo)通電阻大在高壓大電流場(chǎng)合功耗較大；而IGBT在低頻及較大功率場(chǎng)合下表現(xiàn)卓越，其導(dǎo)通電阻小，耐壓...
2306場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V，漏極電流為3.5A；高密度單元設(shè)計(jì)，極低的導(dǎo)通電...2306場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V，漏極電流為3.5A；高密度單元設(shè)計(jì)，極低的導(dǎo)通電阻RDS(開啟)，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，高效低耗；?2306mos管具有低導(dǎo)通電阻、高開...
VT1和VT2構(gòu)成多諧振蕩器，振蕩頻率為5Hz。當(dāng)電壓下降時(shí)，為使頻率不變，振蕩器...VT1和VT2構(gòu)成多諧振蕩器，振蕩頻率為5Hz。當(dāng)電壓下降時(shí)，為使頻率不變，振蕩器由穩(wěn)壓管VD1穩(wěn)壓后供電。多諧振蕩器輸出輸出的方波電壓，直接推動(dòng)VMOS大功率管，經(jīng)變...
當(dāng)u2是正半周期時(shí)，二極管Vd1和Vd2導(dǎo)通；而奪極管Vd3和Vd4截止，負(fù)載RL是的電流...當(dāng)u2是正半周期時(shí)，二極管Vd1和Vd2導(dǎo)通；而奪極管Vd3和Vd4截止，負(fù)載RL是的電流是自上而下流過負(fù)載，負(fù)載上得到了與u 2正半周期相同的電壓；在u 2的負(fù)半周，u 2的...
KND3308A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓80V，漏極電流80A，極低的導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 6.2...KND3308A場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓80V，漏極電流80A，極低的導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 6.2mΩ，最大限度地減少導(dǎo)電損耗；具有高雪崩電流，能夠在額定工作條件下穩(wěn)定運(yùn)行，確保...
