30n50場效應管參數(shù),代換,8150A場效應管30A 500V-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-02-21
漏源電壓Vds：500V
柵源電壓Vgs：±30V
連續(xù)漏極電流Id，Tc=25℃：30A
連續(xù)漏極電流Id，Tc=100℃：18A
功率損耗Pd：300W
導通電阻ID=15A,VGS=10V：Typ:160mΩ，Max 200mΩ
KNH8150A場效應管采用高級平面工藝，漏源電壓500V，漏極電流30A，RDS（ON）=150mΩ（典型值）@VGS=10V；具備低柵極電荷最小化開關(guān)損耗，能夠穩(wěn)定可靠地工作，加固多晶硅柵極結(jié)構(gòu)，提供了更高效的性能表現(xiàn)。
KNH8150A場效應管廣泛應用于開關(guān)電源、控制器、逆變器等領域，非常穩(wěn)定可靠，能夠替代30n50型號場效應管進行使用，KNH8150A封裝形式：TO-3P。
漏源電壓：500V
漏極電流：30A
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：120A
雪崩能量單脈沖：2000MJ
最大功耗：333W
輸入電容：4152PF
輸出電容：506PF
反向傳輸電容：85PF
開通延遲時間：35nS
關(guān)斷延遲時間：109nS
上升時間：116ns
下降時間：75ns
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