KCP3525A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓250V，漏極電流70A ，采用先進(jìn)的SGT技術(shù)制造，專...KCP3525A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓250V，漏極電流70A ，采用先進(jìn)的SGT技術(shù)制造，專有新溝槽技術(shù)，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 18.5mΩ，低柵極電荷減少開關(guān)損耗，提高效率；...
sip封裝是將多個具有不同功能的有源電子元件與可選無源器件，以及諸如MEMS或者...sip封裝是將多個具有不同功能的有源電子元件與可選無源器件，以及諸如MEMS或者光學(xué)器件等其他器件優(yōu)先組裝到一起，實現(xiàn)一定功能的單個標(biāo)準(zhǔn)封裝件，形成一個系統(tǒng)或...
快恢復(fù)二極管（FRD）是一種具有開關(guān)特性好、反向恢復(fù)時間短特點的半導(dǎo)體二極管...快恢復(fù)二極管（FRD）是一種具有開關(guān)特性好、反向恢復(fù)時間短特點的半導(dǎo)體二極管，主要應(yīng)用于開關(guān)電源、PWM脈寬調(diào)制器、變頻器等電子電路中。
KCT2213A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓135V，漏極電流200A ，采用先進(jìn)的SGT技術(shù)，極低導(dǎo)...KCT2213A場效應(yīng)管漏源擊穿電壓135V，漏極電流200A ，采用先進(jìn)的SGT技術(shù)，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 2.9mΩ，低柵極電荷（151nC），最小化開關(guān)損耗，性能卓越；改進(jìn)的...
穩(wěn)壓二極管(zener diode)，又叫齊納二極管；利用PN結(jié)反向擊穿狀態(tài)，呈現(xiàn)極小的...穩(wěn)壓二極管(zener diode)，又叫齊納二極管；利用PN結(jié)反向擊穿狀態(tài)，呈現(xiàn)極小的電阻，其電流可在很大范圍內(nèi)變化而電壓基本不變的現(xiàn)象，起穩(wěn)壓作用。
單結(jié)晶體管有三個電極，分別稱為第一基極b1、第二基極b2、發(fā)射極e。單結(jié)晶體管...單結(jié)晶體管有三個電極，分別稱為第一基極b1、第二基極b2、發(fā)射極e。單結(jié)晶體管雖然有三個電極，但在結(jié)構(gòu)上只有一個PN結(jié)，它是在一塊高電阻率的N型硅基片一側(cè)的兩端...
