KCD3008A場效應(yīng)管漏極電流120A，漏源擊穿電壓為85V，采用先進(jìn)的SGT技術(shù)，極低導(dǎo)...KCD3008A場效應(yīng)管漏極電流120A，漏源擊穿電壓為85V，采用先進(jìn)的SGT技術(shù)，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 4.5mΩ，最大限度地減少開關(guān)損耗，提高效率；優(yōu)秀的柵極電荷xRDS（...
穩(wěn)壓電源 由V3（TL431），Q3等元件組成，從36V蓄電池經(jīng)過串聯(lián)穩(wěn)壓后得到+12V電...穩(wěn)壓電源 由V3（TL431），Q3等元件組成，從36V蓄電池經(jīng)過串聯(lián)穩(wěn)壓后得到+12V電壓，給控制電路供電，調(diào)節(jié)VR6可校準(zhǔn)+12V電源。
輸入過壓保護(hù)主要針對的是雷擊或市電沖擊產(chǎn)生的浪涌。當(dāng)DC電壓通過“+48V、GNG...輸入過壓保護(hù)主要針對的是雷擊或市電沖擊產(chǎn)生的浪涌。當(dāng)DC電壓通過“+48V、GNG”兩端進(jìn)入電路，并經(jīng)過R1電阻進(jìn)行限流時，若后續(xù)線路發(fā)生短路，R1的電流會增大，進(jìn)...
KCP2920A場效應(yīng)管采用SGT MOSFET工藝，??漏源擊穿電壓200V，漏極電流130A；新...KCP2920A場效應(yīng)管采用SGT MOSFET工藝，??漏源擊穿電壓200V，漏極電流130A；新型溝槽技術(shù)，低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 9.0mΩ（典型值）@VGS=10V，低柵極電荷，最小化開...
通過改變MOS管的開斷，可以改變輸出電流的方向，合理運(yùn)用輸入輸出端口，既可以...通過改變MOS管的開斷，可以改變輸出電流的方向，合理運(yùn)用輸入輸出端口，既可以實現(xiàn)降壓功能，也可以實現(xiàn)升壓功能。它由兩個MOS管和兩個二極管組成。
逆變器：通過控制開關(guān)器件（如IGBT、MOSFET）的通斷，生成脈寬調(diào)制（PWM）波形...逆變器：通過控制開關(guān)器件（如IGBT、MOSFET）的通斷，生成脈寬調(diào)制（PWM）波形，合成所需頻率和幅值的交流電。其電路復(fù)雜度通常高于整流器。
